SK Hynix ha dado a conocer que dará a conocer su nueva generación de SSDs durante el CES 2020 de Las Vegas, el cual arrancará el 7 de enero. Será en dicha feria donde muestre los primeros SSDs con sus chips de memoria 4D NAND Flash de 128 pisos/capas, los cuales se empleará para dar vida a nuevos SSD M.2 NVMe de alto rendimiento de 1 TB de capacidad y SSDs de grado empresarial de gran capacidad (16 y 32 TB).
Según indica la compañía, estos nuevos chips de 128 pisos ofrecen un 40% más de productividad respecto a su equivalente de 96 pisos alcanzando una velocidad de transferencia de 1.400 Mbps @ 1,2v.
Hay que recordar que con los chips de memoria 4D NAND también se consigue duplicar el ancho de banda, pasando de 32KB (kilobytes) a 64KB, lo que permite mejorar en términos de coste/rendimiento. A ello se le suma que SK Hynix también ha comenzado a desarrollar y vender sus propias controladoras SSD, lo que permitirá mejorar aún más los precios para cumplir "con los requisitos de los usuarios", por no hablar de lanzar sus propios SSDs sin depender de ningún otro fabricante y generar ingresos adicionales al no depender de terceros o intermediarios.
"Los chips de memoria 4D NAND Flash de 128 pisos y 1 TB de capacidad ofrece el apilamiento vertical más alto de la industria con más de 360.000 millones de células NAND, cada una de las cuales almacena 3 bits, por chip. Para lograr esto, SK Hynix aplicó tecnologías innovadoras, como "la tecnología de grabado vertical ultra-homogénea", "la tecnología de formación de células de película fina multicapa de alta fiabilidad" y el diseño de circuitos ultrarrápidos de baja potencia, a su propia tecnología 3D NAND."
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